IRF8707TR, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт [SOP-8.]
![IRF8707TR, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт [SOP-8.]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001634734
Артикул
IRF8707TR
Страна происхождения
КИТАЙ
Структура
N-канал
Крутизна характеристики, S
25
Корпус
SOIC-8
Вес, г
0.196
Все параметры
IRF8707TR
pdf, 491 КБ
2988 шт. с центрального склада
0.71 BYN
от 50 шт. —
0.67 BYN
1 шт.
на сумму 0.71 BYN
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0119Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 25 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
Вес, г | 0.196 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
IRF8707TR
pdf, 491 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
Розничная цена: 0.71 BYN