IRF7103TR, Транзистор 2N-MOSFET 50В 3А 2Вт [SOP-8.]
![IRF7103TR, Транзистор 2N-MOSFET 50В 3А 2Вт [SOP-8.]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001634733
Артикул
IRF7103TR
Страна происхождения
КИТАЙ
Структура
2N-канала
Крутизна характеристики, S
3.8
Корпус
SOIC-8
Вес, г
0.196
Все параметры
IRF7103TR
pdf, 406 КБ
2962 шт. с центрального склада
0.71 BYN
от 50 шт. —
0.67 BYN
1 шт.
на сумму 0.71 BYN
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03Ом/3А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 | |
| Вес, г | 0.196 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
IRF7103TR
pdf, 406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
Розничная цена: 0.71 BYN
