BAV21,133

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8023500087

Страна происхождения

КИТАЙ

Бренд

Base Product Number

BAV21 ->

Capacitance @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Current - Reverse Leakage @ Vr

100nA @ 200V

Diode Type

Standard

ECCN

EAR99

Все параметры

pdf, 386 КБ

Все документы

1000 шт. с центрального склада, срок 11 дней

0.08 BYN

Кратность заказа 500 шт.

500 шт. на сумму 40 BYN

Описание Диод: импульсный, THT, 250В, 250мА, Ammo Pack, Ifsm: 9А, DO35, 50нс Характеристики

Base Product Number	BAV21 ->
Capacitance @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io)	250mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 200V
Diode Type	Standard
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.10.0070
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature - Junction	175В°C (Max)
Package	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Package / Case	DO-204AH, DO-35, Axial
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Speed	Fast Recovery = 200mA (Io)
Supplier Device Package	ALF2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
Case	DO35
Features of semiconductor devices	fast switching
Kind of package	Ammo Pack
Load current	250mA
Manufacturer	NEXPERIA
Max. forward impulse current	9A
Max. forward voltage	1.25V
Max. off-state voltage	250V
Mounting	THT
Reverse recovery time	50ns
Semiconductor structure	single diode
Type of diode	switching
Вес, г	0.15

6 месяцев

pdf, 386 КБ

pdf, 304 КБ

pdf, 229 КБ

pdf, 230 КБ

Доставка в регион Минск