STS1NK60Z транзистор: N-MOSFET 600V 0.3A 15 Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32500 шт. с центрального склада, срок 5-6 дней
0.14 BYN
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 350 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8012582507
Артикул: STS1NK60Z
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: STMicroelectronics
Описание
транзистор: N-MOSFET 600V 0.3A <15 Om
корпус: SO8
корпус: SO8
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 28 ns |
| Height | 1.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA |
| Length | 5 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOIC-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15 Ohms |
| Rise Time | 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.9 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 Ohms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | STS1NK60Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 2.3 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 10 декабря1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 13 декабря1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 15 декабря1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
