STP9NK50ZFP транзистор: N-MOSFET 500V 9A 0.82Om

Фото 1/9 STP9NK50ZFP транзистор: N-MOSFET 500V 9A  0.82Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3000 шт. с центрального склада, срок 7-10 дней
0.51 BYN
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт. на сумму 510 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8012582504
Артикул: STP9NK50ZFP
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,2А, 30Вт, TO220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 7.2 A
Pd - рассеивание мощности 30 W
Qg - заряд затвора 32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 20 ns
Время спада 22 ns
Высота 9.3 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperMESH
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5.3 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP9NK50ZFP
Средства разработки STEVAL-ISC002V1
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения 45 ns
Типичное время задержки при включении 17 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 7.2 A
Maximum Drain Source Resistance 850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 500 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 30 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Series MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 32 nC @ 10 V
Width 4.6mm
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EDA / CAD Models STP9NK50ZFP by Ultra Librarian
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 7.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 850@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 500
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 30000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Package Length 10.4(Max)
Package Width 4.6(Max)
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Process Technology SuperMESH
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-220FP
SVHC Yes
SVHC Exceeds Threshold Yes
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 22
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 32@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 910@25V
Typical Rise Time (ns) 20
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 45
Typical Turn-On Delay Time (ns) 17
Вес, г 2

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 370 КБ
Datasheet
pdf, 381 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP
pdf, 365 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP
pdf, 367 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 15 декабря1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 18 декабря1 7 BYN2
Белпочта 20 декабря1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии