STP7NK40Z транзистор: N-MOSFET 400V 6A 1 Om

Фото 1/4 STP7NK40Z транзистор: N-MOSFET 400V 6A  1 Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13000 шт. с центрального склада, срок 6 дней
0.30 BYN
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт. на сумму 300 BYN
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8012582503
Артикул: STP7NK40Z
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 3,4А, 70Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 5.4 A
Pd - рассеивание мощности 70 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 15 ns
Время спада 12 ns
Высота 9.15 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperMESH
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 3.5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP7NK40Z
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
Base Product Number STP7NK40 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.7A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50ВµA
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г 2

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet
pdf, 634 КБ
Datasheet
pdf, 603 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 9 декабря1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 12 декабря1 7 BYN2
Белпочта 15 декабря1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии