STP17NK40ZFP транзистор: N-MOSFET 400V 15A 0.25Om

Фото 1/6 STP17NK40ZFP транзистор: N-MOSFET 400V 15A  0.25Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5000 шт. с центрального склада, срок 9 дней
0.78 BYN
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт. на сумму 780 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8012582502
Артикул: STP17NK40ZFP
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 9,4А, 35Вт, TO220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Id - Continuous Drain Current: 15 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 35 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 65 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 250 mOhms
Rise Time: 23 ns
Series: STP17NK40ZFP
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: SuperMESH
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Height 9.3 mm
Id - Continuous Drain Current 15 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220FP-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 35 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 250 mOhms
Rise Time 23 ns
RoHS Details
Series N-channel MDmesh
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-On Delay Time 25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 4.6 mm
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 15 A
Maximum Drain Source Resistance 250 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 400 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Maximum Power Dissipation 35 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 65 nC @ 10 V
Вес, г 2

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 396 КБ
Datasheet
pdf, 920 КБ
Datasheet STP17NK40ZFP
pdf, 397 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 16 декабря1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 19 декабря1 7 BYN2
Белпочта 22 декабря1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии