STP14NK50Z транзистор: N-MOSFET 500V 14A 0.38Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5000 шт. с центрального склада, срок 7-10 дней
0.84 BYN
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 840 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8012582500
Артикул: STP14NK50Z
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: STMicroelectronics
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,6А, 150Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 380 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 69 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 69 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2000 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 54 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 69 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Rise Time: | 16 ns |
| Series: | STP14NK50Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 2 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 619 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 622 КБ
Datasheet
pdf, 602 КБ
Datasheet STB14NK50ZT4
pdf, 617 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 15 декабря1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 18 декабря1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 20 декабря1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
