STB6NK90ZT4 транзистор: N-MOSFET 900V 5,8A 1,56Om
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт. с центрального склада, срок 7-10 дней
0.84 BYN
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 840 BYN
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8012582497
Артикул: STB6NK90ZT4
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: STMicroelectronics
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 5,8А, 140Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V |
| Width | 9.35mm |
| Вес, г | 2 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 15 декабря1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 18 декабря1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 20 декабря1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
