IRF644PBF, Trans MOSFET N-CH Si 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
505 шт., срок 10-12 недель
5.50 BYN
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
220 шт.
на сумму 1 210 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003192857
Артикул: IRF644PBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 8,5А, 125Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 49 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 49 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 68(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 68(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 24 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Вес, г | 192.6 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 154 КБ
Datasheet
pdf, 132 КБ
Datasheet IRF644PBF
pdf, 283 КБ
IRF644 Datasheet
pdf, 173 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF644
pdf, 150 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
