IRL630PBF, Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1965 шт., срок 10-12 недель
4.80 BYN
Мин. кол-во для заказа 270 шт.
от 489 шт. —
4.40 BYN
от 1384 шт. —
4.30 BYN
270 шт.
на сумму 1 296 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003192827
Артикул: IRL630PBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5,7А, 74Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 400@5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 74000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 33 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 40(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 40(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1100@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 57 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 38 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Manufacturer | Vishay |
| Packaging | Tube |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Continuous Drain Current (Id) | 8 A |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 200 V |
| Fall Time | 33 ns |
| Gate-Source Voltage | 10 V |
| ON Resistance (Rds(on)) | 400 mOhm |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Operating Temperature Min. | -55 °C |
| Pins | 3 |
| Power Dissipation (Pd) | 74 W |
| Rise Time | 57 ns |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Turn-OFF Delay Time | 38 ns |
| Turn-ON Delay Time | 8 ns |
| Вес, г | 192.4 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2275 КБ
Datasheet
pdf, 2059 КБ
Datasheet
pdf, 1164 КБ
Datasheet
pdf, 2284 КБ
Документация
pdf, 2279 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
