IRF830SPBF, Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 шт., срок 10-12 недель
4.40 BYN
Мин. кол-во для заказа 270 шт.
270 шт.
на сумму 1 188 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003192799
Артикул: IRF830SPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 500V 4.5 Amp
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Base Product Number | IRF830 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.5A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 192 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet IRF830SPBF
pdf, 180 КБ
Datasheet IRF830SPBF
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |