IRFD9120PBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

Фото 1/6 IRFD9120PBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2632 шт., срок 10-12 недель
3.10 BYN
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
от 741 шт.2.95 BYN
от 2097 шт.2.80 BYN
400 шт. на сумму 1 240 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003192783
Артикул: IRFD9120PBF
Страна происхождения: КИТАЙ

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 1A 1,3Вт 0,6Ом DIP4 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Base Product Number IRFD9120 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case 4-DIP (0.300"", 7.62mm)
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки 1 A
Pd - рассеивание мощности 1.3 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 600 mOhms
RoHS Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 20 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток -100 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 29 ns
Время спада 29 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Конфигурация Single Dual Drain
Максимальная рабочая температура +150 C
Минимальная рабочая температура -55 C
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 2500
Типичное время задержки выключения 21 ns
Торговая марка Vishay/Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок HexDIP-4
Brand: Vishay/Siliconix
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 25 ns
Forward Transconductance - Min: 0.71 S
Id - Continuous Drain Current: 1 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: DIP-4
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 1.3 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 18 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 600 mOhms
Rise Time: 29 ns
Series: IRFD
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9.6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 1 A
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Package Type HVMDIP
Вес, г 191.9

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1015 КБ
Datasheet IRFD9120PBF
pdf, 1015 КБ
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ
Документация
pdf, 2031 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 апреля1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 4 апреля1 7 BYN2
Белпочта 7 апреля1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии