MJD127G, Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8175 шт., срок 10-12 недель
3.80 BYN
Мин. кол-во для заказа 350 шт.
от 369 шт. —
3.40 BYN
от 936 шт. —
3.20 BYN
350 шт.
на сумму 1 330 BYN
Альтернативные предложения5
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8003192482
Артикул: MJD127G
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: ON Semiconductor***
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - Darlington
Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Base-Emitter Saturation Voltage (Max) | 4.5(V) |
| Collector Current (DC) | 8(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 8 A |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 1000 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Maximum Collector Cut-off Current | 10 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 1.75(W) |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 0.4 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
MJD122
pdf, 107 КБ
MJD122, NJVMJD122 (NPN), MJD127, NJVMJD127 (PNP)
pdf, 100 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
