MJ11016G, Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 10-12 недель
28.50 BYN
Кратность заказа 100 шт.
от 300 шт. —
27 BYN
100 шт.
на сумму 2 850 BYN
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003192448
Артикул: MJ11016G
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: ON Semiconductor***
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - Darlington
Описание Транзистор биполярный MJ11016G от известного производителя ONSEMI - надежный компонент для вашей электронной аппаратуры. Идеально подходит для мощных применений благодаря способности выдерживать ток коллектора до 30 А и напряжение коллектор-эмиттер до 120 В. Этот транзистор типа NPN Дарлингтон обладает высокой мощностью в 200 Вт, обеспечивая эффективную работу в тяжелых условиях. Монтаж THT и корпус TO3 гарантируют легкость интеграции в различные схемы. Приобретайте MJ11016G для повышения надежности и производительности ваших проектов. Обратите внимание на код товара для удобства заказа: MJ11016G. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN, Дарлингтон |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 30 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 120 |
| Мощность, Вт | 200 |
| Корпус | TO3 |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 8.51 mm |
| Длина | 39.37 mm |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200, 1000 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Серия | MJ11016 |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |
| Ширина | 26.67 mm |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 5 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-204 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Width | 26.67mm |
| Assembly | THT |
| Collector current | 30 A |
| Enclosure | TO-3 |
| max. operating temperature | 200 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 120 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 120 V |
| Min DC gain | 200 mA |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power dissipation | 200 W |
| Rated current | 30 A |
| Saturation voltage | 3 V |
| Transit frequency fTmin | 4 MHz |
| Version | NPN |
| Вес, г | 1 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet MJ11016G
pdf, 116 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
