MMBT5087LT1G, Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
114000 шт., срок 10-12 недель
0.25 BYN
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 24000 шт. —
0.20 BYN
6000 шт.
на сумму 1 500 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003192439
Артикул: MMBT5087LT1G
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: ON Semiconductor***
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 50мА, 225мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 3 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85@1mA@10mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@1mA@10mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.05 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Minimum DC Current Gain | 250@1mA@5V|250@10mA@5V|250@100uA@5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 40(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Standard Package Name | SOT |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Package Width | 1.3 |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMBT5087L |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -3 V |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Datasheet MMBT5087LT1G
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
