2N7002LT3G, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300000 шт., срок 10-12 недель
0.31 BYN
Кратность заказа 10000 шт.
от 30000 шт. —
0.28 BYN
от 60000 шт. —
0.25 BYN
10000 шт.
на сумму 3 100 BYN
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги15
Номенклатурный номер: 8003192068
Артикул: 2N7002LT3G
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: ON Semiconductor***
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Вес, кг | 17.9 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
2N7002L-D
pdf, 59 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
