IRF1404ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/7 IRF1404ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25791 шт., срок 10-12 недель
8.20 BYN
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 303 шт.7.90 BYN
от 858 шт.7.20 BYN
150 шт. на сумму 1 230 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003192006
Артикул: IRF1404ZPBF
Страна происхождения: КИТАЙ

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRF1404ZPBF от производителя INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Основываясь на его технических характеристиках, транзистор способен выдерживать ток стока до 190 А и напряжение сток-исток 40 В. При этом, его мощность достигает 220 Вт, что делает его подходящим для использования в мощных источниках питания и преобразователях. С сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0037 Ом, транзистор IRF1404ZPBF обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Корпус TO220AB обеспечивает надежную работу и легкость в установке. Приобретите IRF1404ZPBF для уверенности в стабильности и долговечности вашего электронного проекта. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 190
Напряжение сток-исток, В 40
Мощность, Вт 220
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0037
Корпус TO220AB

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 180 A
Pd - рассеивание мощности: 200 W
Qg - заряд затвора: 100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 V, +20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Время нарастания: 110 ns
Время спада: 58 ns
Количество каналов: 1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 170 S
Полярность транзистора: N-Channel
Рабочая температура: -55 C+175 C
Типичное время задержки выключения: 36 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 190 A
Maximum Drain Source Resistance 4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 220 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 100 nC @ 10 V
Width 4.69mm
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Емкость, пФ 4340
Заряд затвора, нКл 150
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 180
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 2.7
Мощность рассеиваемая(Pd)-200 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-2В
Описание 40V, 180A N-Channel MOSFET
Способ монтажа Through Hole
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Упаковка TUBE, 100 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Заряд затвора(Qg)-150 нКл
Максимальный ток Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-180 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора(Rds)-2.7 мОм
Вес, г 177.1

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet
pdf, 332 КБ
IRF1404ZPBF
pdf, 319 КБ
Документация
pdf, 303 КБ
Datasheet IRF1404ZPBF
pdf, 401 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 апреля1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 4 апреля1 7 BYN2
Белпочта 7 апреля1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии