IRF1010ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/5 IRF1010ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6250 шт., срок 10-12 недель
6.80 BYN
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
от 334 шт.6.50 BYN
от 946 шт.6.20 BYN
180 шт. на сумму 1 224 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003191970
Артикул: IRF1010ZPBF
Страна происхождения: КИТАЙ

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRF1010ZPBF от известного производителя INFINEON обеспечивает высокую производительность для широкого спектра электронных применений. С монтажом THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 94 А при напряжении сток-исток 55 В, что делает его идеальным для мощных задач. Мощность устройства достигает 140 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0075 Ом, гарантируя высокую эффективность и минимизацию потерь в цепи. Корпус TO220AB обеспечивает надежную защиту и удобство при монтаже. Приобретая IRF1010ZPBF, вы получаете надежный компонент для вашей электроники. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 94
Напряжение сток-исток, В 55
Мощность, Вт 140
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0075
Корпус TO220AB

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 94 A
Pd - рассеивание мощности 140 W
Qg - заряд затвора 63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 94 A
Maximum Drain Source Resistance 8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 140 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ 10 V
Width 4.69mm
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A(Tc)
Design Resources IRF1010ZL Saber ModelIRF1010ZL Spice Model
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Family FETs-Single
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2840pF @ 25V
Online Catalog N-Channel Standard FETs
Other Names *IRF1010ZPBF
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
PCN Assembly/Origin Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Power - Max 140W
Product Training Modules High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 75A, 10V
Standard Package 50
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Вес, г 176.8

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet
pdf, 353 КБ
Datasheet IRF1010ZPBF
pdf, 399 КБ
Документация
pdf, 407 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 апреля1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 4 апреля1 7 BYN2
Белпочта 7 апреля1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии