IRF9530NSTRLPBF, Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24800 шт., срок 10-12 недель
4.40 BYN
Кратность заказа 800 шт.
от 4000 шт. —
3.60 BYN
800 шт.
на сумму 3 520 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003191959
Артикул: IRF9530NSTRLPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 176.8 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet IRF9530NSTRLPBF
pdf, 817 КБ
Datasheet IRF9530NS
pdf, 805 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
