IRF2807ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6274 шт., срок 10-12 недель

7.50 BYN

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

от 328 шт. — 7.10 BYN

от 928 шт. — 6.60 BYN

160 шт. на сумму 1 200 BYN

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003191919

Артикул: IRF2807ZPBF

Страна происхождения: КИТАЙ

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 89А [TO-220AB] Характеристики

RoHS Compliant	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	89 A
Maximum Drain Source Resistance	9.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	75 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	71 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Вес, г	176.3

6 месяцев

pdf, 408 КБ

pdf, 399 КБ

Доставка в регион Минск