IRFB4019PBF, Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2218 шт., срок 10-12 недель
8.20 BYN
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 300 шт. —
7.80 BYN
от 849 шт. —
7.20 BYN
150 шт.
на сумму 1 230 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003191893
Артикул: IRFB4019PBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 17А, 80Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4.9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 14 |
| Температура, С | -55...+175 |
| Корпус | TO220AB |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.9 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 7.8 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP001572370 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 850 |
| Fall Time | 7.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 14 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80 mOhms |
| Rise Time | 13 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.9 V |
| Width | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Вес, г | 176 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet IRFB4019PBF
pdf, 282 КБ
Datasheet IRFB4019PBF
pdf, 281 КБ
Datasheet IRFB4019PBF
pdf, 288 КБ
Datasheet IRFB4019PBF
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
