IRFB3607PBF, Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15476 шт., срок 10-12 недель
4.40 BYN
Мин. кол-во для заказа 280 шт.
от 1446 шт. —
4.10 BYN
280 шт.
на сумму 1 232 BYN
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191891
Артикул: IRFB3607PBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор, N-канал 75В 80А [TO-220AB] Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 9 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 75 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 140000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 96 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 56 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 56 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3070 50V |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 43 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Width | 4.82mm |
| Assembly | THT |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 9 mΩ |
| Enclosure | TO-220 |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.6x10<sup>-8</sup> C |
| Max. current | 80 A |
| max. operating temperature | 175 °C |
| max. Voltage | 75 V |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power loss | 140 W |
| Version | N channel |
| Вес, г | 176 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 321 КБ
Datasheet IRFB3607PBF
pdf, 356 КБ
Datasheet IRFB3607PBF
pdf, 326 КБ
Datasheet IRFS3607PBF
pdf, 416 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
