IRF640NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20000 шт., срок 10-12 недель
5.10 BYN
Кратность заказа 800 шт.
от 1600 шт. —
4.80 BYN
от 4000 шт. —
4.20 BYN
800 шт.
на сумму 4 080 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003191890
Артикул: IRF640NSTRLPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRF640NSTRLPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент в категории полупроводниковых изделий, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Особенности этого N-MOSFET транзистора включают в себя максимальный ток стока 18 А и напряжение сток-исток до 200 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности до 150 Вт. Компактный корпус D2PAK обеспечивает простоту интеграции в печатные платы и отличные тепловые характеристики. Модель IRF640NSTRLPBF отличается долговечностью и надёжностью, что делает её оптимальным выбором для разработчиков электронных систем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 18 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 150 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*48*45/1600 |
| Вес, г | 176 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet IRF640N, IRF640NS, IRF640NL
pdf, 336 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
