IRFU3410PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3600 шт., срок 10-12 недель

3.80 BYN

Мин. кол-во для заказа 340 шт.

от 629 шт. — 3.40 BYN

от 1781 шт. — 3.30 BYN

340 шт. на сумму 1 292 BYN

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8003191871

Артикул: IRFU3410PBF

Страна происхождения: КИТАЙ

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канал 100 В, 31 A (Tc), 3 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), сквозное отверстие IPAK (TO-251)

Base Product Number	IRFU3410 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 18A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	HEXFETВ® ->
Supplier Device Package	IPAK (TO-251)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	175.8

6 месяцев

pdf, 237 КБ

Доставка в регион Минск