IRFIZ44NPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16000 шт., срок 10-12 недель
5.90 BYN
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
от 430 шт. —
5.50 BYN
от 1218 шт. —
5.10 BYN
220 шт.
на сумму 1 298 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003191865
Артикул: IRFIZ44NPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRFIZ44NPBF производства INFINEON обладает высокими характеристиками для эффективного использования в электронных схемах. Монтирование через отверстия (THT) обеспечивает простоту установки. С током стока 28 А и напряжением сток-исток 55 В, этот компонент способен управлять значительными нагрузками. Мощность устройства составляет 38 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,024 Ом, гарантирует высокую эффективность. Тип N-MOSFET указывает на N-канальный механизм работы транзистора. Корпус TO220 является стандартным и удобным для многих применений. Приобретите IRFIZ44NPBF для надежной работы ваших электронных устройств. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 28 |
| Напряжение сток-исток, В | 55 |
| Мощность, Вт | 38 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.024 |
| Корпус | TO220 |
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IRFIZ44NPBF SP001572634 |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Вес, г | 175.7 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
