IRLR120NTRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28000 шт., срок 10-12 недель
2.95 BYN
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт. —
2.70 BYN
от 6000 шт. —
2.45 BYN
2000 шт.
на сумму 5 900 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003191848
Артикул: IRLR120NTRPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRLR120NTRPBF от производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Устройство характеризуется током стока 11 А и напряжением сток-исток до 100 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. С мощностью 39 Вт и компактным корпусом DPAK, этот транзистор идеален для использования в различных электронных схемах, где требуется высокая эффективность и минимизация занимаемого пространства. Модель IRLR120NTRPBF гарантирует стабильность и долговечность, благодаря качественному исполнению и проверенной репутации компании INFINEON. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 11 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 39 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 10A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 48W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 185mО© @ 6A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRLR120NTRPBF SP001574026 |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 265 mOhms |
| Rise Time: | 35 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | HEXFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | DPAK |
| Время | задержки включения/выключения-35/22 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Емкость, пФ | 440 |
| Заряд затвора, нКл | 20 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 185 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-48 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В |
| Описание | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/2000 |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Вес, г | 175.5 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet IRLU120NPBF
pdf, 275 КБ
Datasheet IRLR120N, IRLU120N
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
