IRFZ44VPBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/9 IRFZ44VPBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6390 шт., срок 10-12 недель
4.40 BYN
Мин. кол-во для заказа 290 шт.
от 533 шт.4.10 BYN
от 1508 шт.3.90 BYN
290 шт. на сумму 1 276 BYN
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191832
Артикул: IRFZ44VPBF
Страна происхождения: КИТАЙ

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 55А, 115Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 55 A
Pd - рассеивание мощности 115 W
Qg - заряд затвора 44.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 16.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IRFZ44 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1812pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 31A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 55 A
Maximum Drain Source Resistance 17 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 115 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 67 nC @ 10 V
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A(Tc)
Family FETs-Single
FET Feature Standard
Gate Charge (Qg) @ Vgs 67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1812pF @ 25V
Online Catalog N-Channel Standard FETs
Other Names *IRFZ44VPBF
Packaging Tube
Power - Max 115W
Product Training Modules High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Standard Package 50
Вес, г 175.4

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet IRFZ44VPBF
pdf, 226 КБ
Datasheet IRFZ44VPBF
pdf, 227 КБ
Datasheet IRFZ44VPBF
pdf, 152 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 апреля1 бесплатно
ПВЗ СДЭК (BY) 4 апреля1 7 BYN2
Белпочта 7 апреля1 9 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии