IRFZ44VPBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6390 шт., срок 10-12 недель
4.40 BYN
Мин. кол-во для заказа 290 шт.
от 533 шт. —
4.10 BYN
от 1508 шт. —
3.90 BYN
290 шт.
на сумму 1 276 BYN
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191832
Артикул: IRFZ44VPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 55А, 115Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 55 A |
Pd - рассеивание мощности | 115 W |
Qg - заряд затвора | 44.7 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.65 mm |
Длина | 10 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Base Product Number | IRFZ44 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 55A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1812pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 31A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 115 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A(Tc) |
Family | FETs-Single |
FET Feature | Standard |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1812pF @ 25V |
Online Catalog | N-Channel Standard FETs |
Other Names | *IRFZ44VPBF |
Packaging | Tube |
Power - Max | 115W |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
Standard Package | 50 |
Вес, г | 175.4 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |