IRLR024NTRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
224000 шт., срок 10-12 недель
2.30 BYN
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт. —
2.10 BYN
от 8000 шт. —
1.90 BYN
2000 шт.
на сумму 4 600 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003191826
Артикул: IRLR024NTRPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRLR024NTRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники с монтажом типа SMD. Он обладает максимальным током стока 17 А и напряжением сток-исток 55 В, что делает его идеальным выбором для различных силовых применений. Мощность транзистора составляет 38 Вт, а его N-MOSFET структура гарантирует эффективное управление электрическим током. Устройство заключено в надежный корпус DPAK, обеспечивающий удобство монтажа и долговечность использования. Используя код IRLR024NTRPBF, вы легко найдете все необходимые технические данные и сможете приобрести данный транзистор для своих проектов в области электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 17 |
| Напряжение сток-исток, В | 55 |
| Мощность, Вт | 38 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 74 ns |
| Время спада | 29 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | SP001578872 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Технология | Si |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.1 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 17A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 45W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65mО© @ 10A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Width | 6.22mm |
| Время | задержки включения/выключения-7.1/20 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±16 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 17 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 65 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-45 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1 В |
| Описание | 55V, 17A N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/2000 |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Вес, г | 175.4 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 314 КБ
Datasheet
pdf, 310 КБ
Datasheet
pdf, 306 КБ
IRLR024NPBF Datasheet
pdf, 308 КБ
Datasheet IRLR024N
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
