IRFZ44EPBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5888 шт., срок 10-12 недель
4.10 BYN
Мин. кол-во для заказа 300 шт.
от 1586 шт. —
3.70 BYN
300 шт.
на сумму 1 230 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003191813
Артикул: IRFZ44EPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 48А, 110Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRFZ44 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 29A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 48 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Automotive | No |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 48 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 23@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 110000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 60(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 60(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1360@25V |
| Вес, г | 175.3 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
