IRFP250NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20180 шт., срок 10-12 недель
11 BYN
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
от 232 шт. —
10.50 BYN
от 656 шт. —
9.50 BYN
120 шт.
на сумму 1 320 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003191809
Артикул: IRFP250NPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 200В, 30А, 214Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 30A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 214W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 75mО© @ 18A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 17 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 75 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2159 pF @ 25 V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 214W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Assembly | THT |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 75 mΩ |
| Enclosure | TO-247 |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.23x10<sup>-7</sup> C |
| Max. current | 30 A |
| max. operating temperature | 175 °C |
| max. Voltage | 200 V |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power loss | 214 W |
| Version | N channel |
| Вес, г | 175.3 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
