IRFP064NPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7986 шт., срок 10-12 недель
12.50 BYN
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
от 200 шт. —
12 BYN
от 566 шт. —
11 BYN
100 шт.
на сумму 1 250 BYN
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003191803
Артикул: IRFP064NPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 98А, 150Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRFP064 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 59A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 110A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8mО© @ 59A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 47*45*32/1000 |
| Вес, г | 175.2 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet IRFP064NPBF
pdf, 598 КБ
IRFP064 datasheet
pdf, 171 КБ
Документация
pdf, 603 КБ
Datasheet IRFP064N
pdf, 112 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
