PDTC123ET,215, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
549000 шт., срок 10-12 недель
0.14 BYN
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 15000 шт. —
0.13 BYN
12000 шт.
на сумму 1 680 BYN
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8003191622
Артикул: PDTC123ET,215
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT
Описание Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 934054697215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | PDTC123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 250mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*48*45/12000 |
| Вес, г | 1 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet PDTC123ET
pdf, 93 КБ
Datasheet PDTC123ET.215
pdf, 223 КБ
PDTC123E_SERIES
pdf, 415 КБ
Datasheet PDTC123E_SERIES
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
