IRF9530NPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10274 шт., срок 10-12 недель
4.10 BYN
Мин. кол-во для заказа 310 шт.
от 633 шт. —
3.80 BYN
от 1793 шт. —
3.50 BYN
310 шт.
на сумму 1 271 BYN
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190820
Артикул: IRF9530NPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -14А, 79Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 46 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3.2 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IRF9530NPBF SP001570634 |
| Pd - Power Dissipation: | 79 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Rise Time: | 58 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Assembly | THT |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 200 mΩ |
| Enclosure | TO-220 |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.8x10<sup>-8</sup> C |
| Max. current | -14 A |
| max. operating temperature | 175 °C |
| max. Voltage | -100 V |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power loss | 79 W |
| Version | P-channel |
| Вес, кг | 11 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Datasheet
pdf, 231 КБ
Datasheet IRF9530NPBF
pdf, 234 КБ
Datasheet IRF9530N
pdf, 118 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
| Магазин «ЧИП и ДИП» | 1 апреля1 | бесплатно |
| ПВЗ СДЭК (BY) | 4 апреля1 | 7 BYN2 |
| Белпочта | 7 апреля1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
