Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › AUIRFB8405

AUIRFB8405

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8002032714

Страна происхождения

КИТАЙ

Бренд

INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Family

FETs-Single

FET Feature

Standard

FET Type

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs

161nC @ 10V

Все параметры

auirfb8405

pdf, 222 КБ

Все документы

15 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели

14.50 BYN

от 2 шт. — 11 BYN

от 10 шт. — 7.90 BYN

1 шт. на сумму 14.50 BYN

Альтернативные предложения2

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание

Описание Транзистор полевой AUIRFB8405 от производителя INFINEON, представляет собой высокопроизводительный компонент типа N-MOSFET с монтажом THT. Обладает током стока до 120 А и напряжением сток-исток 40 В, что обеспечивает его широкую область применения. Мощность составляет 163 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0021 Ом, указывая на его высокую эффективность. Корпус TO220AB обеспечивает надежность и долговечность использования. Транзистор AUIRFB8405 идеально подходит для мощных и энергоэффективных решений в электронике. Код продукта AUIRFB8405 позволяет легко найти и заказать данный транзистор для реализации ваших проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	120
Напряжение сток-исток, В	40
Мощность, Вт	163
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0021
Корпус	TO220AB

Технические параметры

Category	Discrete Semiconductor Products
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Family	FETs-Single
Featured Product	40 V Automotive-Qualified COOLiRFET™ MOSFET
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	161nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5193pF @ 25V
Mounting Type	Through Hole
Online Catalog	N-Channel Standard FETs
Other Names	IRAUIRFB8405
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Power - Max	163W
Product Training Modules	Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 100A, 10V
Series	HEXFET®
Standard Package	50
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 100µA
Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	163 W
Qg - заряд затвора	107 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.9 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	128 ns
Время спада	77 ns
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001516720
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	CoolIRFet
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Base Product Number	AUIRFB8405 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	161nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5193pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Power Dissipation (Max)	163W (Tc)
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	185 A
Package Type	TO-220
Вес, г	1.81