SSM2212RZ-R7, 40V 20mA 2 NPN(DuAl)PaIrIng SOIC-8 BIpolar TransIstors - BJT (8025033402)

SSM2212RZ-R7, 40V 20mA 2 NPN(DuAl)PaIrIng SOIC-8 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8025033402
Артикул
SSM2212RZ-R7
Страна происхождения
КИТАЙ
Бренд
Структура
npn
Collector Current (Ic)
20mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)
300@1mA, 15V
Transistor Type
NPN
Все параметры
248 шт., срок 6-7 недель
95 BYN
от 10 шт. — 76 BYN
от 30 шт. — 67 BYN
от 100 шт. — 56 BYN
1 шт. на сумму 95 BYN
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Структура npn
Collector Current (Ic) 20mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 3nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 0.05V@1mA, 100uA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 300@1mA, 15V
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 200MHz
Brand: Analog Devices
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 50 mV
Configuration: Dual
DC Collector/Base Gain hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Analog Devices Inc.
Maximum DC Collector Current: 20 mA
Maximum Operating Temperature: +85 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOIC-8
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

6 месяцев

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Доставка в регион Минск

Магазин «ЧИП и ДИП» 22 ноября1 бесплатно
Курьер 26 ноября1 26 BYN2
ПВЗ СДЭК (BY)
Белпочта 25 ноября1 10 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Минск, ул. Димитрова, 5 нет в наличии