MMBFJ310LT1G, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
986 шт. с центрального склада, срок 4 дня
1.25 BYN
от 100 шт. —
0.97 BYN
1 шт.
на сумму 1.25 BYN
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9020001918
Артикул: MMBFJ310LT1G
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд: ON Semiconductor***
Описание
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
Технические параметры
Структура | N-канал |
Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 |
Ток утечки (Idss), мА | 24…60 |
при Vds, В (Vgs=0) | 10 |
Напряжение отсечки (Vgs off), В | 2…6.5 |
при Id, нА | 1 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Datasheet MMBFJ310LT3G
pdf, 108 КБ
MMBFJ309, MMBFJ310
pdf, 409 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Минск
Магазин «ЧИП и ДИП» | 22 января1 | бесплатно |
ПВЗ СДЭК (BY) | 25 января1 | 7 BYN2 |
Белпочта | 28 января1 | 9 BYN2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Цена и наличие в магазинах
Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
Розничная цена: 1.25 BYN