IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]

Фото 2/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]Фото 3/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]Фото 4/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]Фото 5/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]Фото 6/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]Фото 7/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
Фото 1/7 IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
Ном. номер: 299136564
Артикул: IRGP50B60PD1PBF
Страна происхождения: МЕКСИКА
Производитель: Infineon Technologies
12 BYN
806 шт. со склада г.Москва
от 5 шт. — 11.59 BYN
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 BYN
Есть аналоги

Описание

Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.

Типовыми приложениями для IGBT-транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты. Для реализации мощных AC-DC преобразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада при выключении (так называемый «хвост»), что обеспечивает более высокую эффективность в сравнении с конкурентными приборами.

Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала. 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45 А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25 А (при тех же температурах). Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.85
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 130
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247ac
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 5.5
Крутизна характеристики, S 41
Вес, г 7.5

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Datasheet IRGP50B60PD1PBF
pdf, 416 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGP50B60PD1PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Доставка в регион Беларусь

Курьер 3 декабря* 10 BYN**
Белпочта 7 декабря* 6.10 BYN**
*   ориентировочно, дата доставки зависит
    от даты оплаты или подтверждения заказа
**  для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах