IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK]

Ном. номер: 9000663945
Артикул: IRFR3410TRPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK]
Фото 2/5 IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK]Фото 3/5 IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK]Фото 4/5 IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK]Фото 5/5 IRFR3410TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 31А [D-PAK]
1.25 BYN
1.10 BYN
2000 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 1.03 BYN
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1.10 BYN
Есть аналоги
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
39 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1690 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.4

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов