IRFD9120PBF, Транзистор P-MOSFET 100В 1A 1.3Вт 0.6Ом [HVMDIP.] [EOL]
![IRFD9120PBF, Транзистор P-MOSFET 100В 1A 1.3Вт 0.6Ом [HVMDIP.] [EOL]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
64236
Артикул
IRFD9120PBF
Страна происхождения
ФИЛИППИНЫ
Структура
P-канал
Крутизна характеристики, S
0.71
Корпус
HVMDIP-4
Вес, г
0.6
Все параметры
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ
Все документы
130 шт. с центрального склада
4.80 BYN
от 5 шт. —
4.56 BYN
1 шт.
на сумму 4.80 BYN
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Отзывы
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/0.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.71 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ
Datasheet IRFD9120, SiHFD9120
pdf, 1017 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
Розничная цена: 4.80 BYN
