IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]

Фото 2/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]Фото 3/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]Фото 4/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
Фото 1/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
223 шт. со склада г.Москва
40 BYN
от 15 шт.39.41 BYN
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 40 BYN
Номенклатурный номер: 9000517635
Артикул: IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3)
PartNumber: IKY75N120CH3XKSA1
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Технические параметры

Технология/семейство high speed h3
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.35
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 938
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 38
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 303
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-4-2
Вес, г 7.5

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3) IKY75N120CH3XKSA1
Datasheet IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3) IKY75N120CH3XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Беларусь

Магазин «ЧИП и ДИП» 21 мая1 бесплатно
Курьер 24 мая1 10 BYN2
Белпочта 26 мая1 6.10 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит
от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах

ул. Димитрова, 5 нет в наличии
Розничная цена: 40 BYN