FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Фото 2/4 FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555ВтФото 3/4 FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555ВтФото 4/4 FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Фото 1/4 FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Ном. номер: 9000170377
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Страна происхождения: СЛОВАКИЯ
Производитель: Infineon Technologies
165 BYN
54 шт. со склада г.Москва
от 3 шт. — 160.34 BYN
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 165 BYN

Описание

IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Length 94мм
Transistor Configuration Серия
Brand Infineon
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В
Maximum Continuous Collector Current 100 А
Package Type AG-34MM-1
Maximum Power Dissipation 555 W
Mounting Type Монтаж на панель
Minimum Operating Temperature -40 °C
Width 34мм
Высота 30.2мм
Dimensions 94 x 34 x 30.2mm
Configuration Серия
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Вес, г 160

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

FF100R12RT4HOSA1
pdf, 510 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FF100R12RT4HOSA1

Сроки доставки

Доставка в регион Беларусь

Курьер 22 января1 10 BYN2
Белпочта 26 января1 6.10 BYN2
1 ориентировочно, дата доставки зависит
   от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг

Цена и наличие в магазинах