FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Ном. номер: 9000170377
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Страна происхождения: СЛОВАКИЯ
Производитель: Infineon Technologies
|
165 BYN
|
54 шт. со склада г.Москва | |
|
от 3 шт. —
160.34 BYN
|
||
|
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 165 BYN
|
Описание
IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А
Технические параметры
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 94мм |
| Transistor Configuration | Серия |
| Brand | Infineon |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 В |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 А |
| Package Type | AG-34MM-1 |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Mounting Type | Монтаж на панель |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Width | 34мм |
| Высота | 30.2мм |
| Dimensions | 94 x 34 x 30.2mm |
| Configuration | Серия |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 160 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
FF100R12RT4HOSA1
pdf, 510 КБ
от даты оплаты или подтверждения заказа