BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL]
![Фото 1/5 BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL]](https://static.chipdip.ru/lib/893/DOC005893415.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию





Номенклатурный номер
9000612803
Артикул
BSM50GX120DN2BOSA1
Страна происхождения
КИТАЙ
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Рабочая температура (Tj), °C
+150(max)
Корпус
ECONOPACK 2K
Вес, г
178
Все параметры
BSM50GX120DN2BOSA1
pdf, 682 КБ
Все документы
16 шт. с центрального склада
Бесплатная доставка при заказе
720 BYN
640 BYN
от 2 шт. —
620 BYN
1 шт.
на сумму 640 BYN
Посмотреть аналоги1
Товары со схожими характеристиками
Описание
Биполярный транзистор IGBT
Технические параметры
Структура | 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 72 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 350 | |
Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) | |
Корпус | ECONOPACK 2K | |
Вес, г | 178 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
BSM50GX120DN2BOSA1
pdf, 682 КБ
Datasheet BSM50GX120DN2
pdf, 678 КБ
Дополнительная информация
Цена и наличие в магазинах
Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
Розничная цена: 640 BYN