ALD110800APCL, MOSFETs Quad EPAD(R) N-Ch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8004980687
Артикул
ALD110800APCL
Страна происхождения
МАЛАЙЗИЯ
Бренд
Структура
4 N-Channel
Особенности
-
Brand:
Advanced Linear Devices
Channel Mode:
Depletion
Все параметры
Техническая информация
pdf, 104 КБ
13 шт., срок 6-7 недель
93 BYN
от 10 шт. —
68 BYN
1 шт.
на сумму 93 BYN
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Отзывы
MOSFET Quad EPAD(R) N-канальный
Технические параметры
| Структура | 4 N-Channel | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 10 V | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 500 Ohms | |
| Особенности | - | |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V | |
| Brand: | Advanced Linear Devices | |
| Channel Mode: | Depletion | |
| Configuration: | Quad | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 | |
| Forward Transconductance - Min: | 0.0014 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 mA | |
| Manufacturer: | Advanced Linear Devices | |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C | |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 4 Channel | |
| Package / Case: | PDIP-16 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signal | |
| Series: | ALD110800A | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 0 V | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 Ohms | |
| Transistor Type: | 4 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V | |
| Category | Discrete Semiconductor Products | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V | |
| Family | FETs-Arrays | |
| FET Feature | Standard | |
| FET Type | 4 N-Channel, Matched Pair | |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs | |
| Other Names | 1014-1016 | |
| Package / Case | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| Packaging | Tube | |
| Power - Max | 500mW | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4V | |
| Series | EPAD®, Zero Threshold™ | |
| Standard Package | 25 | |
| Supplier Device Package | 16-PDIP | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 10mV @ 1µA | |
| Вес, г | 1.03 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Техническая информация
pdf, 104 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |
