ALD1107PBL, MOSFETs Quad P-Channel Array
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8004980686
Артикул
ALD1107PBL
Страна происхождения
МАЛАЙЗИЯ
Бренд
Структура
P-Channel
Особенности
полевая сборка
Brand:
Advanced Linear Devices
Channel Mode:
Enhancement
Все параметры
Техническая информация
pdf, 84 КБ
70 шт., срок 6-7 недель
62 BYN
от 10 шт. —
48 BYN
1 шт.
на сумму 62 BYN
Описание
Отзывы
Технические параметры
| Структура | P-Channel | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В | |
| Особенности | полевая сборка | |
| Brand: | Advanced Linear Devices | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Quad | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 mA | |
| Manufacturer: | Advanced Linear Devices | |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C | |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 4 Channel | |
| Package / Case: | PDIP-14 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signal | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 kOhms | |
| Series: | ALD1107P | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 4 P-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV | |
| Вес, г | 4 |
Гарантийный срок
6 месяцев
Техническая документация
Техническая информация
pdf, 84 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
| Минск, ул. Димитрова, 5 | нет в наличии |



