Новинки MOSFET-транзисторов серии IRF… от UTD Semiconductor

UTD Semiconductor Co.,Ltd – крупная китайская компания, основанная в 2009 году, как совместное китайско-тайваньское предприятие, выпускающая продукцию под торговыми марками UMW и Youtai. В основном компания занимается производством аналогов микросхем управления питанием, логических микросхем, MOSFET транзисторов, ESD защитных устройств, драйверов двигателей, выпрямительных мостов и других популярных электронных компонентов Европейских и Американских производителей.
Команда инженеров UTD Semiconductor состоит из опытных профессиональных экспертов в этой области, с несколькими ведущими международными производственными линиями и полной системой проектирования ИС. Продукция компании прошла сертификацию системы управления качеством ISO9001:2015 и сертифицирована UL, CQC, SGS.
В ассортимент поступили новинки MOSFET-транзисторов для широкого спектра применений в различных корпусных исполнениях:
Название | Структура | Напряжение сток-исток, В (max.) |
Ток сток-исток, А (max.) |
Напряжение затвор-исток, В |
Пороговое напряжение на затворе, В |
Сопротивление канала в открытом состоянии |
Крутизна характеристики, S |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7311TR | 2N-канала | 30 | 9 | ±20 | 1…2.5 | 0.013 Ом | 32 | SOIC-8 |
IRF9956TR | 2N-канала | 30 | 3.5 | ±20 | 1…2 | 0.1 Ом | 12 | SOIC-8 |
IRF7103TR | 2N-канала | 50 | 3 | ±20 | 1…3 | 0.03 Ом | 3.8 | SOIC-8 |
IRF7324TR | 2P-канала | 20 | 9 | ±12 | 0.45…1 | 0.018 Ом | 19 | SOIC-8 |
IRF7104TR | 2P-канала | 30 | 2.3 | ±12 | 1…3 | 0.25 Ом | 2.5 | SOIC-8 |
IRF9389TR | N/P-каналы | 30 | 6.8/4.6 | ±20 | 1.3…2.3 | 0.027 Ом / 0.064 Ом | 8.2/3.4 | SOIC-8 |
IRF8313TR | N-канал | 20 | 10 | ±12 | 0.7…1.5 | 0.022 Ом | 11 | SOIC-8 |
IRF7201TR | N-канал | 30 | 7.3 | ±20 | 1…2 | 0.03 Ом | 5.8 | SOIC-8 |
IRF7456TR | N-канал | 30 | 16 | ±12 | 0.6…2 | 0.0065 Ом | 44 | SOIC-8 |
IRF7809AVTR | N-канал | 30 | 13.3 | ±12 | 1…1.4 | 0.009 Ом | - | SOIC-8 |
IRF7821TR | N-канал | 30 | 13.6 | ±20 | 1…2 | 0.0091 Ом | 22 | SOIC-8 |
IRF8113TR | N-канал | 30 | 17.2 | ±20 | 1.5…2.2 | 0.0056 Ом | 73 | SOIC-8 |
IRF8707TR | N-канал | 30 | 11 | ±20 | 1.35…2.35 | 0.0119 Ом | 25 | SOIC-8 |
IRF8788TR | N-канал | 30 | 24 | ±20 | 1.35…2.35 | 0.0028 Ом | 95 | SOIC-8 |
IRFR3707ZTR | N-канал | 30 | 56 | ±20 | 1…2.5 | 0.0095 Ом | 71 | DPAK |
IRFR8314TR | N-канал | 30 | 90 | ±20 | 1.2…2.2 | 0.0022 Ом | 189 | DPAK |
IRF2804PBF | N-канал | 40 | 75 | ±20 | 2…4 | 0.002 Ом | 130 | TO-220 |
IRFB7437PBF | N-канал | 40 | 100 | ±20 | 1.5…2 | 0.002 Ом | 160 | TO-220 |
IRFB7440PBF | N-канал | 40 | 100 | ±20 | 2.2…3.9 | 0.0025 Ом | 88 | TO-220 |
IRFR7440TR | N-канал | 40 | 90 | ±20 | 2.2…3.9 | 0.0024 Ом | 280 | DPAK |
IRFR2405TR | N-канал | 55 | 34 | ±20 | 2…4 | 0.016 Ом | 30 | DPAK |
IRFR4105TR | N-канал | 55 | 27 | ±20 | 2…4 | 0.045 Ом | 6.5 | DPAK |
IRFR1018ETR | N-канал | 60 | 47 | ±20 | 2…4 | 0.0084 Ом | 110 | TO-220 |
IRF100B201 | N-канал | 100 | 192 | ±20 | 2…4 | 0.0042 Ом | 278 | TO-220 |
IRFB4110 | N-канал | 100 | 120 | ±20 | 2…4 | 0.0045 Ом | 160 | TO-220 |
IRFB4310Z | N-канал | 100 | 120 | ±20 | 2…4 | 0.006 Ом | 150 | TO-220 |
IRF7204TR | P-канал | 30 | 5.1 | ±20 | 1…2 | 0.055 Ом | 7 | SOIC-8 |
IRF7205TR | P-канал | 30 | 4.6 | ±20 | 1…3 | 0.07 Ом | 6.6 | SOIC-8 |
IRF9317TR | P-канал | 30 | 16 | ±20 | 1.3…2.4 | 0.0066 Ом | 36 | SOIC-8 |
IRF9321TR | P-канал | 30 | 15 | ±20 | 1.3…2.4 | 0.0072 Ом | 30 | SOIC-8 |
IRF9328TR | P-канал | 30 | 12 | ±20 | 1…2 | 0.0119 Ом | 20 | SOIC-8 |
IRF9388TR | P-канал | 30 | 12 | ±25 | 1.3…2.4 | 0.0119 Ом | 20 | SOIC-8 |
IRF7241TR | P-канал | 40 | 6.2 | ±20 | 1…3 | 0.041 Ом | 8.9 | SOIC-8 |
IRF5305STRL | P-канал | 55 | 31 | ±20 | 1.1…3 | 0.06 Ом | 8 | D2PAK |
IRF9Z24N | P-канал | 55 | 12 | ±20 | 2…4 | 0.175 Ом | 2.5 | TO-220 |
IRF9Z34N | P-канал | 55 | 19 | ±20 | 2…4 | 0.1 Ом | 4.2 | TO-220 |
IRF5305PBF | P-канал | 60 | 31 | ±20 | 1.1…3 | 0.06 Ом | 8 | TO-220 |
IRFR9120NTR | P-канал | 100 | 8 | ±20 | 1…3 | 0.235 Ом | 12 | DPAK |