Новинки MOSFET-транзисторов серии IRF… от UTD Semiconductor

09.04.2025
UTD Semiconductor

UTD Semiconductor Co.,Ltd – крупная китайская компания, основанная в 2009 году, как совместное китайско-тайваньское предприятие, выпускающая продукцию под торговыми марками UMW и Youtai. В основном компания занимается производством аналогов микросхем управления питанием, логических микросхем, MOSFET транзисторов, ESD защитных устройств, драйверов двигателей, выпрямительных мостов и других популярных электронных компонентов Европейских и Американских производителей.

Команда инженеров UTD Semiconductor состоит из опытных профессиональных экспертов в этой области, с несколькими ведущими международными производственными линиями и полной системой проектирования ИС. Продукция компании прошла сертификацию системы управления качеством ISO9001:2015 и сертифицирована UL, CQC, SGS.

В ассортимент поступили новинки MOSFET-транзисторов для широкого спектра применений в различных корпусных исполнениях:

Название Структура Напряжение
сток-исток, В (max.)
Ток
сток-исток, А (max.)
Напряжение
затвор-исток, В
Пороговое напряжение
на затворе, В
Сопротивление канала
в открытом состоянии
Крутизна
характеристики, S
Корпус
IRF7311TR 2N-канала 30 9 ±20 1…2.5 0.013 Ом 32 SOIC-8
IRF9956TR 2N-канала 30 3.5 ±20 1…2 0.1 Ом 12 SOIC-8
IRF7103TR 2N-канала 50 3 ±20 1…3 0.03 Ом 3.8 SOIC-8
IRF7324TR 2P-канала 20 9 ±12 0.45…1 0.018 Ом 19 SOIC-8
IRF7104TR 2P-канала 30 2.3 ±12 1…3 0.25 Ом 2.5 SOIC-8
IRF9389TR N/P-каналы 30 6.8/4.6 ±20 1.3…2.3 0.027 Ом / 0.064 Ом 8.2/3.4 SOIC-8
IRF8313TR N-канал 20 10 ±12 0.7…1.5 0.022 Ом 11 SOIC-8
IRF7201TR N-канал 30 7.3 ±20 1…2 0.03 Ом 5.8 SOIC-8
IRF7456TR N-канал 30 16 ±12 0.6…2 0.0065 Ом 44 SOIC-8
IRF7809AVTR N-канал 30 13.3 ±12 1…1.4 0.009 Ом - SOIC-8
IRF7821TR N-канал 30 13.6 ±20 1…2 0.0091 Ом 22 SOIC-8
IRF8113TR N-канал 30 17.2 ±20 1.5…2.2 0.0056 Ом 73 SOIC-8
IRF8707TR N-канал 30 11 ±20 1.35…2.35 0.0119 Ом 25 SOIC-8
IRF8788TR N-канал 30 24 ±20 1.35…2.35 0.0028 Ом 95 SOIC-8
IRFR3707ZTR N-канал 30 56 ±20 1…2.5 0.0095 Ом 71 DPAK
IRFR8314TR N-канал 30 90 ±20 1.2…2.2 0.0022 Ом 189 DPAK
IRF2804PBF N-канал 40 75 ±20 2…4 0.002 Ом 130 TO-220
IRFB7437PBF N-канал 40 100 ±20 1.5…2 0.002 Ом 160 TO-220
IRFB7440PBF N-канал 40 100 ±20 2.2…3.9 0.0025 Ом 88 TO-220
IRFR7440TR N-канал 40 90 ±20 2.2…3.9 0.0024 Ом 280 DPAK
IRFR2405TR N-канал 55 34 ±20 2…4 0.016 Ом 30 DPAK
IRFR4105TR N-канал 55 27 ±20 2…4 0.045 Ом 6.5 DPAK
IRFR1018ETR N-канал 60 47 ±20 2…4 0.0084 Ом 110 TO-220
IRF100B201 N-канал 100 192 ±20 2…4 0.0042 Ом 278 TO-220
IRFB4110 N-канал 100 120 ±20 2…4 0.0045 Ом 160 TO-220
IRFB4310Z N-канал 100 120 ±20 2…4 0.006 Ом 150 TO-220
IRF7204TR P-канал 30 5.1 ±20 1…2 0.055 Ом 7 SOIC-8
IRF7205TR P-канал 30 4.6 ±20 1…3 0.07 Ом 6.6 SOIC-8
IRF9317TR P-канал 30 16 ±20 1.3…2.4 0.0066 Ом 36 SOIC-8
IRF9321TR P-канал 30 15 ±20 1.3…2.4 0.0072 Ом 30 SOIC-8
IRF9328TR P-канал 30 12 ±20 1…2 0.0119 Ом 20 SOIC-8
IRF9388TR P-канал 30 12 ±25 1.3…2.4 0.0119 Ом 20 SOIC-8
IRF7241TR P-канал 40 6.2 ±20 1…3 0.041 Ом 8.9 SOIC-8
IRF5305STRL P-канал 55 31 ±20 1.1…3 0.06 Ом 8 D2PAK
IRF9Z24N P-канал 55 12 ±20 2…4 0.175 Ом 2.5 TO-220
IRF9Z34N P-канал 55 19 ±20 2…4 0.1 Ом 4.2 TO-220
IRF5305PBF P-канал 60 31 ±20 1.1…3 0.06 Ом 8 TO-220
IRFR9120NTR P-канал 100 8 ±20 1…3 0.235 Ом 12 DPAK