Телефон в Минске
+375 17 317-59-11, +375 17 317-59-14
Электронная почта

Многофункциональный тестер TC-1

25.03.2019

Многофункциональный тестер TC-1

Представляем вашему вниманию многофункциональный тестер  полупроводниковых элементов  TC-1.  Благодаря богатой функциональности, портативным размерам. Цветному TFT  экрану и наличию встроенного аккумулятора данный тестер может стать незаменимым спутником при покупке и оценке полупроводниковых элементов в «полевых» условиях.

Функциональные особенности:

  • автоматическое обнаружение  биполярных  транзисторов   NPN  и  PNP,  N- канала и  P- канала, МОП - транзисторы , Полевой транзистор  с  управляющим   PN-переходом,   JFET,  диоды,  ( включая  двойные  диоды ),  N-   и   P-IGBT,  резисторы  ( включая потенциометры ), индукторы , конденсаторы , тиристоры, симисторы  и  аккумулятор  (0.1-4.5 В)
  • автоматическое обнаружение стабилитрона (0.01-30В)
  • самотестирование с автоматической калибровкой
  • поддержка кодирования IRI Hitachi
  • обнаружение ИК- сигналов
  • наличие встроенного аккумулятора
  • автоматическое отключение питания (заданный тайм–аут)

Основные характеристики

Компонент Диапазон Описание параметров
Транзистор биполярный BJT - hFE (DC коэффициент усиления), Ube (напряжение базой и Эмиттером), Ic (ток коллектора), Iceo (ток отсечки коллектора (IB = 0)), Ices (Collector short Current), Uf (прямое напряжение защитного диода) 3
Диод Прямое напряжение < 4.50 В Прямое напряжение, емкость диода, Ir (обратный ток) 2
Сдвоенный диод Прямое напряжение
Диод Зенера (стабилитрон) 0.01-4.50V
(Тестовая зона транзистора)
Прямое напряжение, обратное напряжение
0.01-30V
(Тестовая зона диода Зенера)
Обратное напряжение
Полевой транзистор MOSFET с управляющим PN-переходом  (JFET) Cg (емкость затвора), Id (ток стока) при
Vgs (пороговое напряжение затвор-исток),  Uf (прямое напряжение защитного диода)  4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT Id (ток стока) при Vgs (пороговое напряжение от источника до источника),  Uf (прямое напряжение защитного диода) 4
с изолированным затвором MOSFET Vt (пороговое напряжение затвор-исток), Cg (Емкость затвора), Rds (сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии), Uf (прямое напряжение защитного диода) 4
Тиристор Igt (триггерный ток затвора) <6 мА Отпирающее напряжение управления
Симистор
Конденсатор 25пФ-100мФ Емкость, ESR (эквивалентное последовательное сопротивление) 1
Резистор 0.01-50МОм Сопротивление
Индуктор 0.01мГн-20Гн Индуктивность, сопротивление постоянного тока 5
Батарея 0.1-4.5В Напряжение, полярность батареи

Примечание:
1 Iceo, Ices, Uf отображаются только, когда эффективны
2 Диодная емкость, Ir (обратный ток) отображается только, когда эффективны
3 отображается только при защитном диоде
4 ESR, Vloss отображается только, когда эффективно
5 Измерение индуктивности с сопротивлением ниже 2100 Ом