Новинки MOSFET-транзисторов от JSMicro Semiconductor

12.02.2025

JSMicro Semiconductor – крупный китайский фаблесс-производитель, который был основан в 2005 году. Штаб-квартир компании находится в городе Сиань, где располагается научно-исследовательская и опытно-конструкторская группа, в основном состоящей из аспирантов, вернувшихся из США, Великобритании, Германии, Сингапура и других стран.

Компания специализируется на производстве датчиков Холла, микросхем и полупроводниковых приборов, которые в основном являются pin-to-pin аналогами европейских и американских производителей полупроводников. Продукция соответствует международным стандартам качества ISO9001 и экологическим требованиям SGS, SVHS и RoHS.

В ассортимент поступили новинки MOSFET-транзисторов в различных корпусных исполнениях:

Название Структура Напряжение
сток-исток, В (max.)
Ток
сток-исток, А (max.)
Напряжение
затвор-исток, В
Пороговое напряжение
на затворе, В
Сопротивление канала
в открытом состоянии
Крутизна
характеристики, S
Корпус
JSM2302A-A2SHB N-канал 20 3 ±8 0.5…1 0.115 Ом 8 SOT-23-3
IRFR5305 P-канал 60 50 ±20 1.5…3 0.02 Ом 61 DPAK
IRF3205S N-канал 55 110 ±20 2…4 0.008 Ом 44 D2PAK
IRF830PBF N-канал 550 4 ±30 2…4 2.2 Ом 3.6 TO-220
IRF9Z34NPBF P-канал 60 20 ±20 1…2.5 0.098 Ом - TO-220
IRF1404Z N-канал 40 120 ±20 2…4 0.0037 Ом - TO-220
FQP50N06 N-канал 60 50 ±25 2…4 0.022 Ом - TO-220
IRF4905PBF P-канал 60 50 ±20 1…2 0.035 Ом - TO-220
IRFB4110PBF N-канал 100 180 ±25 2…4 0.0045 Ом - TO-220
IRFPE50 N-канал 800 7.8 ±20 2…4 1.2 Ом - TO-247
IRFP460PBF N-канал 500 18 ±30 3…4 0.28 Ом - TO-247
IRFP250NPBF N-канал 220 30 ±20 2…4 0.04 Ом 16 TO-247