Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Спецпредложения

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) • Спецпредложения

_{103 из более 1 000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN] 5 дней, 44 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр	5 дней, 44 шт.	46 BYN ×	от 15 шт. — 43.92 BYN
IRFB9N60APBF, Транзистор, N-MOSFET, 600В, 9.2А, 170Вт, 0.75Ом [TO-220.] 5 дней, 22 шт. Бренд: Vishay Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 5.5 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	5 дней, 22 шт.	9.10 BYN ×	от 15 шт. — 8.88 BYN
AO4822A, Транзистор 2N-MOSFET 30В 8А SOIC-8-0.154 5 дней, 96 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 96 шт.	4.40 BYN ×	от 3 шт. — 3.88 BYN
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3] 5 дней, 2 857 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр	5 дней, 2 857 шт.	0.29 BYN ×	от 100 шт. — 0.28 BYN
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3 5 дней, 58 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 164 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 268 Крутизна характеристики, S: 150 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 58 шт.	5.80 BYN ×	от 15 шт. — 5.76 BYN
IRF9640STRLPBF, Транзистор P-MOSFET 200В 11А 125Вт [D2PAK.] 5 дней, 95 шт. Бренд: Vishay Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/6.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 4.1 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	5 дней, 95 шт.	4.30 BYN ×	от 5 шт. — 4.12 BYN
IRFP054PBF, Транзистор MOSFET N-канал 60В 70А [TO-247AC] 5 дней, 28 шт. Бренд: Vishay Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 ом при 54a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 230 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	5 дней, 28 шт.	6.10 BYN ×	от 15 шт. — 5.40 BYN
IRFPF40PBF, Транзистор, N-канал 900В 4.7А 150Вт [TO-247AC.] 5 дней, 103 шт. Бренд: Vishay Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	5 дней, 103 шт.	15 BYN ×
IRFR120ZTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 35Вт [DPAK.] 5 дней, 697 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/5.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	5 дней, 697 шт.	3.10 BYN ×	от 15 шт. — 3.01 BYN
STP14NM50N, Транзистор N-MOSFET 500В 12А 90Вт [TO-220] 5 дней, 241 шт. Бренд: Inchange Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 241 шт.	8.30 BYN ×	от 15 шт. — 7.96 BYN
2SK4033-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 18А 41.7Вт [TO-252.] 5 дней, 5 шт. Бренд: VBsemi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 41.7 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	5 дней, 5 шт.	1.75 BYN ×	от 5 шт. — 1.66 BYN
AO4453, Транзистор P-MOSFET 12В 9А 2.5Вт [SOIC-8] 5 дней, 3 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 3 шт.	2.60 BYN ×	от 3 шт. — 2.54 BYN
AOD442, Транзистор N-MOSFET 60В 37A 60Вт 0.025Ом [TO-252 / DPAK.] 5 дней, 17 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 37 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025Ом Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Крутизна характеристики, S: 65 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	5 дней, 17 шт.	3.20 BYN ×	от 5 шт. — 3.01 BYN
AOSS62934, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 2А; 1,4Вт; SOT23 5 дней, 14 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Корпус: sot23	быстрый просмотр	5 дней, 14 шт.	0.88 BYN ×	от 5 шт. — 0.84 BYN
AUIRF1404Z, Транзистор N-MOSFET 40В 120/180A 200Вт 0.0037Ом [TO-220.] [EOL] 5 дней, 122 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0037Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	5 дней, 122 шт.	3.80 BYN ×	от 15 шт. — 3.76 BYN
AUIRFR8401, Транзистор HEXFET N-канал 40В 100А 4.25мОм AEC-Q101 [D-PAK] 5 дней, 12 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.25мОм Корпус: D-Pak	быстрый просмотр	5 дней, 12 шт.	12 BYN ×	от 5 шт. — 11.60 BYN
BSS138K-7, SOT-23 MOSFETs ROHS 5 дней, 127 шт. Бренд: Diodes Структура: MOSFET Корпус: SOT-23	быстрый просмотр	5 дней, 127 шт.	0.48 BYN ×	от 5 шт. — 0.44 BYN
BU102, TO-92-3 Pre-ordered transIstors ROHS, Транзистор полевой 10 дней, 1 шт. Бренд: SPTECH	быстрый просмотр	10 дней, 1 шт.	6.30 BYN ×	от 5 шт. — 6.24 BYN
BUK7M19-60EX, MOSFET BUK7M19-60E/ SOT1210/mLFPAK 5 дней, 3 шт. Бренд: Nexperia Структура: MOSFET	быстрый просмотр	5 дней, 3 шт.	5.20 BYN ×
CSD17311Q5, MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET 5 дней, 2 шт. Бренд: Texas Instruments Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.2	быстрый просмотр	5 дней, 2 шт.	11.50 BYN ×	от 5 шт. — 11.36 BYN