Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{121 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А 105Вт 0.0038Ом [DPAK / TO-252.] 10514 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.8 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	10514 шт.	0.88 BYN ×	от 50 шт. — 0.76 BYN
12N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А 96Вт 0.114Ом [DPAK / TO-252.] 2580 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 114 мОм/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2580 шт.	0.72 BYN ×	от 100 шт. — 0.64 BYN
15N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А 55Вт 0.095Ом [DPAK / TO-252.] 5858 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 95 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: dpak	быстрый просмотр	5858 шт.	0.88 BYN ×	от 50 шт. — 0.76 BYN
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252.] 2410 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2410 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.52 BYN
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252.] 3591 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3591 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.52 BYN
20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252.] 5130 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: dpak	быстрый просмотр	5130 шт.	0.68 BYN ×	от 50 шт. — 0.60 BYN
25N06, Транзистор N-MOSFET 60В 25А [TO-252.] 3573 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3573 шт.	0.84 BYN ×	от 50 шт. — 0.72 BYN
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А 8Вт [TO-252.] 3865 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8 Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3865 шт.	0.64 BYN ×	от 50 шт. — 0.56 BYN
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252.] 2664 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2664 шт.	0.68 BYN ×	от 50 шт. — 0.60 BYN
30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252] 2517 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.9 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2517 шт.	0.80 BYN ×	от 100 шт. — 0.68 BYN
30N06, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252] 3450 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3450 шт.	0.72 BYN ×	от 50 шт. — 0.68 BYN
35N06, Транзистор N-MOSFET 60В 35А [TO-252] 867 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: dpak	быстрый просмотр	867 шт.	1 BYN ×	от 50 шт. — 0.92 BYN
40N06, Транзистор N-MOSFET 60В 40А [TO-252] 4858 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 14 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	4858 шт.	0.96 BYN ×	от 50 шт. — 0.88 BYN
4N50L, Транзистор N-MOSFET 500В 5А 76Вт 2.4Ом [TO-252 / DPAK.] 1617 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 76 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1617 шт.	0.60 BYN ×	от 35 шт. — 0.56 BYN
4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252] 2290 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2290 шт.	1.20 BYN ×	от 50 шт. — 1.08 BYN
4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252] 3003 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/2А, 10В Корпус: dpak	быстрый просмотр	3003 шт.	0.80 BYN ×	от 15 шт. — 0.72 BYN
50N06, Транзистор N-MOSFET 60В 50А [TO-252] 4811 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	4811 шт.	0.84 BYN ×	от 50 шт. — 0.76 BYN
7N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-252] 2116 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 142 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2116 шт.	1.40 BYN ×	от 15 шт. — 1.28 BYN
AOD210, Транзистор N-MOSFET 30В 70A 150Вт 0.0039Ом [TO-252 / DPAK.] 2070 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.9 мОм/20А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 78 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2070 шт.	0.80 BYN ×	от 30 шт. — 0.76 BYN
AOD2610E, Транзистор N-MOSFET 60В 46A 59.5Вт 0.0133Ом [TO-252 / DPAK.] 2406 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 46 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13.3 мОм/20А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59.5 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2406 шт.	1.25 BYN ×	от 20 шт. — 1.12 BYN

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»